电力电容器应用在开关电源中之“浪涌电压保护”

　　开关电源是很常见的一种应用设备，它是频率很高的现代功率半导体器件，容易受电压尖峰脉冲与冲击电流的影响。另外对于开关电源两端的浪涌电压的保护，电力电容器通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对开关电源器件起到了保护作用。针对于开关电源这类半导体器件，电力电容器以提高电压质量的优势占据了半导体结构器件的重要地位。

　　开关电源的浪涌电压受什么影响?

　　半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率，都会影响浪涌电压保护电力电容器的选择。由于这些电力电容器承受着较为难调节电压的尖峰脉冲，因此对于这种开关电源半导体器件的应用而言，薄膜电力电容器 。

　　在额定电压值高达2000V的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC的范围内。

　　不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。

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